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- 作者：
- 安徽新天源建設(shè)咨詢有限公司
- 最后修訂：
- 2020-09-29 09:44:32
摘要：
一種雙端流水線型復(fù)制位線電路
本發(fā)明公開了一種雙端流水線型復(fù)制位線電路，其具體實(shí)現(xiàn)根據(jù)流水次數(shù)不同有兩種實(shí)現(xiàn)方式，該電路能夠降低SRAM中靈敏放大器控制時(shí)序產(chǎn)生電路的工藝偏差，即提高了SRAM中靈敏放大器控制時(shí)序產(chǎn)生電路的工藝容忍能力，可以在不影響位線預(yù)充時(shí)間、不大幅度增大設(shè)計(jì)面積的情況下將工藝偏差降低為傳統(tǒng)復(fù)制位線的且為了保證本發(fā)明電路的平均延遲與傳統(tǒng)復(fù)制位線電路的相等，則有流水次數(shù)N＝M*K，且當(dāng)M＝1時(shí)，即復(fù)制位線長(zhǎng)度與傳統(tǒng)相等時(shí)，得到SAE的工藝偏差最小，為傳統(tǒng)復(fù)制位線產(chǎn)生的SAE的偏差的1/N。
一種高嶺土復(fù)合改性水性聚氨酯固態(tài)電解質(zhì)
本發(fā)明涉及一種高嶺土復(fù)合改性水性聚氨酯固態(tài)電解質(zhì)。所述固態(tài)電解質(zhì)由非離子水性聚氨酯乳液、親水改性高嶺土和鋰鹽制成。采用非離子水性聚氨酯作為高分子基體，操作過程在水體系中進(jìn)行，不使用有毒溶劑，解決了制備過程安全環(huán)保的問題，還解決了無機(jī)離子鹽在乳液中穩(wěn)定性的問題。本發(fā)明將高嶺土進(jìn)行親水改性，再共混偶聯(lián)到非離子水性聚氨酯結(jié)構(gòu)中，解決了無機(jī)高嶺土在非離子水性聚氨酯中的穩(wěn)定性問題。高嶺土的加入提高了聚氨酯的力學(xué)性能和離子電導(dǎo)率，解決了傳統(tǒng)聚氨酯電導(dǎo)率低的問題，90℃條件下離子電導(dǎo)率達(dá)2.61×10?3S/cm。
籠式球型分體式反射鏡萬向調(diào)整結(jié)構(gòu)
本發(fā)明提供一種籠式球型分體式反射鏡萬向調(diào)整結(jié)構(gòu)，包括反射鏡固定組件、萬向調(diào)節(jié)組件，反射鏡固定組件固定需要調(diào)節(jié)的反射鏡，萬向調(diào)節(jié)組件固定在反射鏡固定組件上，所述反射鏡固定組件和萬向調(diào)節(jié)組件為分體結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：將調(diào)節(jié)組件與反射鏡固定組件分體設(shè)計(jì)，反射鏡位置調(diào)整完畢后，調(diào)節(jié)組件即可拆除，同一調(diào)整結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)組件可共用，體積小、結(jié)構(gòu)緊湊、成本低。
一種高透過率導(dǎo)電薄膜及其制備方法 本發(fā)明公開了一種高透過率導(dǎo)電薄膜及其制備方法，其特征在于：高透過率導(dǎo)電薄膜是以玻璃為襯底，采用三層膜組合方式，底層為減反射薄膜，中間層為p型半導(dǎo)體氧化物薄膜，頂層為氮摻雜石墨烯薄膜。本發(fā)明的高透過率導(dǎo)電薄膜的可見光透過率為88％～96％，電阻率為15～100Ω/sq；且本發(fā)明高透過率導(dǎo)電薄膜的制備工藝簡(jiǎn)單，對(duì)設(shè)備要求不高，可大面積生產(chǎn)，有望取代傳統(tǒng)價(jià)格昂貴的ITO、AZO等透明導(dǎo)電薄膜。 一種基于GPU自適應(yīng)的前景提取方法 本發(fā)明公開了一種基于GPU自適應(yīng)的前景提取方法，是應(yīng)用于含有GPU圖像處理器的計(jì)算機(jī)中，其特征包括：將圖像數(shù)據(jù)從內(nèi)存?zhèn)鬟f到GPU顯存中，對(duì)每個(gè)像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)GPU中一個(gè)線程分別進(jìn)行混合高斯背景建模，其中每個(gè)像素點(diǎn)的高斯數(shù)目可以動(dòng)態(tài)調(diào)整，最后將每個(gè)像素點(diǎn)中每個(gè)高斯權(quán)重最大的進(jìn)行二值化處理，處理結(jié)果作為最終結(jié)果通過全局內(nèi)存?zhèn)鬟f到內(nèi)存中。本發(fā)明能大大提高前景提取效率，并能夠?qū)崟r(shí)、精確的提取運(yùn)動(dòng)目標(biāo)，從而能夠更好的適應(yīng)實(shí)際環(huán)境。
